Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
TSM4N60ECH C5G
MOSFET N-CHANNEL 600V 4A TO251
Číslo dílu
TSM4N60ECH C5G
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Dodavatelský balíček zařízení
TO-251 (IPAK)
Ztráta energie (max.)
86.2W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
600V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
4A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
2.5 Ohm @ 2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
12nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
545pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 16325 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova TSM4N60ECH C5G
TSM4N60ECH C5G Elektronické komponenty
TSM4N60ECH C5G Odbyt
TSM4N60ECH C5G Dodavatel
TSM4N60ECH C5G Distributor
TSM4N60ECH C5G Datová tabulka
TSM4N60ECH C5G Fotky
TSM4N60ECH C5G Cena
TSM4N60ECH C5G Nabídka
TSM4N60ECH C5G Nejnižší cena
TSM4N60ECH C5G Vyhledávání
TSM4N60ECH C5G Nákup
TSM4N60ECH C5G Chip