Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
TSM4NB60CH C5G
600V N CHANNEL MOSFET
Číslo dílu
TSM4NB60CH C5G
Výrobce/značka
Stav sekce
Active
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Dodavatelský balíček zařízení
TO-251 (IPAK)
Ztráta energie (max.)
50W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
600V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
4A
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
2.5 Ohm @ 2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
14.5nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
500pF @ 25V
VGS (max.)
±30V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 43850 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova TSM4NB60CH C5G
TSM4NB60CH C5G Elektronické komponenty
TSM4NB60CH C5G Odbyt
TSM4NB60CH C5G Dodavatel
TSM4NB60CH C5G Distributor
TSM4NB60CH C5G Datová tabulka
TSM4NB60CH C5G Fotky
TSM4NB60CH C5G Cena
TSM4NB60CH C5G Nabídka
TSM4NB60CH C5G Nejnižší cena
TSM4NB60CH C5G Vyhledávání
TSM4NB60CH C5G Nákup
TSM4NB60CH C5G Chip