Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
TSM4ND65CI
650V 4A SINGLE N-CHANNEL POWER M
Číslo dílu
TSM4ND65CI
Výrobce/značka
Stav sekce
Active
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Dodavatelský balíček zařízení
ITO-220
Ztráta energie (max.)
41.6W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
650V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
4A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
2.6 Ohm @ 1.2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.8V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
16.8nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
596pF @ 50V
VGS (max.)
±30V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 45004 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova TSM4ND65CI
TSM4ND65CI Elektronické komponenty
TSM4ND65CI Odbyt
TSM4ND65CI Dodavatel
TSM4ND65CI Distributor
TSM4ND65CI Datová tabulka
TSM4ND65CI Fotky
TSM4ND65CI Cena
TSM4ND65CI Nabídka
TSM4ND65CI Nejnižší cena
TSM4ND65CI Vyhledávání
TSM4ND65CI Nákup
TSM4ND65CI Chip