CSD13302W
MOSFET N-CH 12V 1.6A
Číslo dílu
CSD13302W
Výrobce/značka
Série
NexFET™
Stav sekce
Active
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
4-UFBGA, DSBGA
Dodavatelský balíček zařízení
4-DSBGA
Ztráta energie (max.)
1.8W (Ta)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
12V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
1.6A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
17.1 mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.3V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
7.8nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
862pF @ 6V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
2.5V, 4.5V
VGS (max.)
±10V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 26562 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova CSD13302W
CSD13302W Elektronické komponenty
CSD13302W Odbyt
CSD13302W Dodavatel
CSD13302W Distributor
CSD13302W Datová tabulka
CSD13302W Fotky
CSD13302W Cena
CSD13302W Nabídka
CSD13302W Nejnižší cena
CSD13302W Vyhledávání
CSD13302W Nákup
CSD13302W Chip