CSD19506KTT
MOSFET N-CH 80V 200A DDPAK-3
Číslo dílu
CSD19506KTT
Výrobce/značka
Série
NexFET™
Stav sekce
Active
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA
Dodavatelský balíček zařízení
DDPAK/TO-263-3
Ztráta energie (max.)
375W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
80V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
200A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
2.3 mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.2V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
156nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
12200pF @ 40V
VGS (max.)
±20V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
6V, 10V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 26001 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova CSD19506KTT
CSD19506KTT Elektronické komponenty
CSD19506KTT Odbyt
CSD19506KTT Dodavatel
CSD19506KTT Distributor
CSD19506KTT Datová tabulka
CSD19506KTT Fotky
CSD19506KTT Cena
CSD19506KTT Nabídka
CSD19506KTT Nejnižší cena
CSD19506KTT Vyhledávání
CSD19506KTT Nákup
CSD19506KTT Chip