Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
TC58BYG0S3HBAI6
IC EEPROM 1GBIT 25NS 67VFBGA
Číslo dílu
TC58BYG0S3HBAI6
Výrobce/značka
Série
Benand™
Stav sekce
Active
Obal
Tray
Technika
FLASH - NAND (SLC)
Provozní teplota
-40°C ~ 85°C (TA)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
67-VFBGA
Dodavatelský balíček zařízení
67-VFBGA (6.5x8)
Zdroj napětí
1.7 V ~ 1.95 V
Typ paměti
Non-Volatile
Velikost paměti
1Gb (128M x 8)
Doba přístupu
25ns
Frekvence hodin
-
Formát paměti
Flash
Zápis Doba cyklu - Word, Stránky
25ns
Rozhraní paměti
Parallel
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 48313 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova TC58BYG0S3HBAI6
TC58BYG0S3HBAI6 Elektronické komponenty
TC58BYG0S3HBAI6 Odbyt
TC58BYG0S3HBAI6 Dodavatel
TC58BYG0S3HBAI6 Distributor
TC58BYG0S3HBAI6 Datová tabulka
TC58BYG0S3HBAI6 Fotky
TC58BYG0S3HBAI6 Cena
TC58BYG0S3HBAI6 Nabídka
TC58BYG0S3HBAI6 Nejnižší cena
TC58BYG0S3HBAI6 Vyhledávání
TC58BYG0S3HBAI6 Nákup
TC58BYG0S3HBAI6 Chip