Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
MT3S113TU,LF

MT3S113TU,LF

RF SIGE HETEROJUNCTION BIPOLAR N
Číslo dílu
MT3S113TU,LF
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
Cut Tape (CT)
Provozní teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
3-SMD, Flat Leads
Výkon - Max
900mW
Dodavatelský balíček zařízení
UFM
Typy tranzistorů
NPN
Proud – kolektor (Ic) (Max)
100mA
Napětí – porucha kolektoru emitoru (max.)
5.3V
Zisk stejnosměrného proudu (hFE) (Min) @ Ic, Vce
200 @ 30mA, 5V
Frekvence - Přechod
11.2GHz
Šum obrazu (typ dB@f)
1.45dB @ 1GHz
Získat
12.5dB
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 43896 PCS
Kontaktní informace
Klíčová slova MT3S113TU,LF
MT3S113TU,LF Elektronické komponenty
MT3S113TU,LF Odbyt
MT3S113TU,LF Dodavatel
MT3S113TU,LF Distributor
MT3S113TU,LF Datová tabulka
MT3S113TU,LF Fotky
MT3S113TU,LF Cena
MT3S113TU,LF Nabídka
MT3S113TU,LF Nejnižší cena
MT3S113TU,LF Vyhledávání
MT3S113TU,LF Nákup
MT3S113TU,LF Chip