Koupit Toshiba Semiconductor and Storage SSM6J207FE,LF MOSFET P-CH 30V 1.4A ES6

Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.

DataSheets

SSM6J207FE,LF

MOSFET P-CH 30V 1.4A ES6

Číslo dílu

SSM6J207FE,LF

Výrobce/značka

Toshiba Semiconductor and Storage

Série

U-MOSII

Stav sekce

Active

Obal

Cut Tape (CT)

Technika

MOSFET (Metal Oxide)

Provozní teplota

150°C (TJ)

Typ montáže

Surface Mount

Balíček/pouzdro

SOT-563, SOT-666

Dodavatelský balíček zařízení

ES6 (1.6x1.6)

Ztráta energie (max.)

500mW (Ta)

Typ FET

P-Channel

Funkce FET

Odvod ke zdroji napětí (Vdss)

30V

Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C

1.4A (Ta)

Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs

251 mOhm @ 650mA, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.6V @ 1mA

Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs

Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds

137pF @ 15V

Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)

4V, 10V

VGS (max.)

±20V

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.

Na skladě 28531 PCS

Kontaktní informace

Související produkty