Koupit Toshiba Semiconductor and Storage SSM6J503NU,LF(T MOSFET P CH 20V 6A 2-2AA1A

Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.

DataSheets

SSM6J503NU,LF(T

MOSFET P CH 20V 6A 2-2AA1A

Číslo dílu

SSM6J503NU,LF(T

Výrobce/značka

Toshiba Semiconductor and Storage

Série

U-MOSVI

Stav sekce

Active

Obal

Digi-Reel®

Technika

MOSFET (Metal Oxide)

Provozní teplota

150°C (TJ)

Typ montáže

Surface Mount

Balíček/pouzdro

6-WDFN Exposed Pad

Dodavatelský balíček zařízení

6-UDFNB (2x2)

Ztráta energie (max.)

1W (Ta)

Typ FET

P-Channel

Funkce FET

Odvod ke zdroji napětí (Vdss)

20V

Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C

6A (Ta)

Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs

32.4 mOhm @ 3A, 4.5V

Vgs(th) (Max) @ Id

1V @ 1mA

Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs

12.8nC @ 10V

Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds

840pF @ 10V

Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)

1.5V, 4.5V

VGS (max.)

±8V

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.

Na skladě 13967 PCS

Kontaktní informace

Související produkty