Koupit Toshiba Semiconductor and Storage SSM6J505NU,LF MOSFET P CH 12V 12A UDFN6B

Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.

Zobrazit více informací DataSheets

SSM6J505NU,LF

MOSFET P CH 12V 12A UDFN6B

Číslo dílu

SSM6J505NU,LF

Výrobce/značka

Toshiba Semiconductor and Storage

Série

U-MOSVI

Stav sekce

Active

Obal

Tape & Reel (TR)

Technika

MOSFET (Metal Oxide)

Provozní teplota

150°C (TJ)

Typ montáže

Surface Mount

Balíček/pouzdro

6-WDFN Exposed Pad

Dodavatelský balíček zařízení

6-UDFNB (2x2)

Ztráta energie (max.)

1.25W (Ta)

Typ FET

P-Channel

Funkce FET

Odvod ke zdroji napětí (Vdss)

12V

Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C

12A (Ta)

Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs

12 mOhm @ 4A, 4.5V

Vgs(th) (Max) @ Id

1V @ 1mA

Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs

37.6nC @ 4.5V

Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds

2700pF @ 10V

Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)

1.2V, 4.5V

VGS (max.)

±6V

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.

Na skladě 44005 PCS

Kontaktní informace

Související produkty