Koupit Toshiba Semiconductor and Storage SSM6J507NU,LF MOSFET P-CH 30V 10A 6UDFN

Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.

DataSheets

SSM6J507NU,LF

MOSFET P-CH 30V 10A 6UDFN

Číslo dílu

SSM6J507NU,LF

Výrobce/značka

Toshiba Semiconductor and Storage

Série

U-MOSVI

Stav sekce

Active

Obal

Cut Tape (CT)

Technika

MOSFET (Metal Oxide)

Provozní teplota

150°C (TJ)

Typ montáže

Surface Mount

Balíček/pouzdro

6-WDFN Exposed Pad

Dodavatelský balíček zařízení

6-UDFNB (2x2)

Ztráta energie (max.)

1.25W (Ta)

Typ FET

P-Channel

Funkce FET

Odvod ke zdroji napětí (Vdss)

30V

Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C

10A (Ta)

Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs

20 mOhm @ 4A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.2V @ 250µA

Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs

20.4nC @ 4.5V

Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds

1150pF @ 15V

Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)

4V, 10V

VGS (max.)

+20V, -25V

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.

Na skladě 45531 PCS

Kontaktní informace

Související produkty