Koupit Toshiba Semiconductor and Storage SSM6K217FE,LF MOSFET N-CH 40V 1.8A ES6

Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.

Zobrazit více informací DataSheets

SSM6K217FE,LF

MOSFET N-CH 40V 1.8A ES6

Číslo dílu

SSM6K217FE,LF

Výrobce/značka

Toshiba Semiconductor and Storage

Série

U-MOSVII-H

Stav sekce

Active

Obal

Tape & Reel (TR)

Technika

MOSFET (Metal Oxide)

Provozní teplota

150°C (TJ)

Typ montáže

Surface Mount

Balíček/pouzdro

SOT-563, SOT-666

Dodavatelský balíček zařízení

ES6

Ztráta energie (max.)

500mW (Ta)

Typ FET

N-Channel

Funkce FET

Odvod ke zdroji napětí (Vdss)

40V

Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C

1.8A (Ta)

Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs

195 mOhm @ 1A, 8V

Vgs(th) (Max) @ Id

1.2V @ 1mA

Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs

1.1nC @ 4.2V

Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds

130pF @ 10V

Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)

1.8V, 8V

VGS (max.)

±12V

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.

Na skladě 40352 PCS

Kontaktní informace

Související produkty