Koupit Toshiba Semiconductor and Storage SSM6K781G,LF MOSFET N-CH 12V 7A 6WCSP6C

Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.

DataSheets

SSM6K781G,LF

MOSFET N-CH 12V 7A 6WCSP6C

Číslo dílu

SSM6K781G,LF

Výrobce/značka

Toshiba Semiconductor and Storage

Série

U-MOSVII-H

Stav sekce

Active

Obal

Cut Tape (CT)

Technika

MOSFET (Metal Oxide)

Provozní teplota

150°C (TJ)

Typ montáže

Surface Mount

Balíček/pouzdro

6-UFBGA, WLCSP

Dodavatelský balíček zařízení

6-WCSPC (1.5x1.0)

Ztráta energie (max.)

1.6W (Ta)

Typ FET

N-Channel

Funkce FET

Odvod ke zdroji napětí (Vdss)

12V

Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C

7A (Ta)

Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs

18 mOhm @ 1.5A, 4.5V

Vgs(th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs

5.4nC @ 4.5V

Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds

600pF @ 6V

Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)

1.5V, 4.5V

VGS (max.)

±8V

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.

Na skladě 15568 PCS

Kontaktní informace

Související produkty