Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
TK11P65W,RQ
MOSFET N-CH 650V 11.1A DPAK-0S
Číslo dílu
TK11P65W,RQ
Výrobce/značka
Série
DTMOSIV
Stav sekce
Active
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Dodavatelský balíček zařízení
DPAK
Ztráta energie (max.)
100W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
650V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
11.1A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
440 mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 450µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
25nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
890pF @ 300V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 19254 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova TK11P65W,RQ
TK11P65W,RQ Elektronické komponenty
TK11P65W,RQ Odbyt
TK11P65W,RQ Dodavatel
TK11P65W,RQ Distributor
TK11P65W,RQ Datová tabulka
TK11P65W,RQ Fotky
TK11P65W,RQ Cena
TK11P65W,RQ Nabídka
TK11P65W,RQ Nejnižší cena
TK11P65W,RQ Vyhledávání
TK11P65W,RQ Nákup
TK11P65W,RQ Chip