Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
TK7P65W,RQ
MOSFET N-CH 650V 6.8A DPAK
Číslo dílu
TK7P65W,RQ
Výrobce/značka
Série
DTMOSIV
Stav sekce
Active
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Dodavatelský balíček zařízení
DPAK
Ztráta energie (max.)
60W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
650V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
6.8A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
800 mOhm @ 3.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
15nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
490pF @ 300V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 38497 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova TK7P65W,RQ
TK7P65W,RQ Elektronické komponenty
TK7P65W,RQ Odbyt
TK7P65W,RQ Dodavatel
TK7P65W,RQ Distributor
TK7P65W,RQ Datová tabulka
TK7P65W,RQ Fotky
TK7P65W,RQ Cena
TK7P65W,RQ Nabídka
TK7P65W,RQ Nejnižší cena
TK7P65W,RQ Vyhledávání
TK7P65W,RQ Nákup
TK7P65W,RQ Chip