Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
TPH6R30ANL,L1Q
X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Číslo dílu
TPH6R30ANL,L1Q
Výrobce/značka
Série
U-MOSVIII-H
Stav sekce
Active
Obal
-
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
150°C
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-PowerVDFN
Dodavatelský balíček zařízení
8-SOP Advance (5x5)
Ztráta energie (max.)
2.5W (Ta), 54W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
100V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
66A (Ta), 45A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
6.3 mOhm @ 22.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 500µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
55nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
4300pF @ 50V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 13520 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova TPH6R30ANL,L1Q
TPH6R30ANL,L1Q Elektronické komponenty
TPH6R30ANL,L1Q Odbyt
TPH6R30ANL,L1Q Dodavatel
TPH6R30ANL,L1Q Distributor
TPH6R30ANL,L1Q Datová tabulka
TPH6R30ANL,L1Q Fotky
TPH6R30ANL,L1Q Cena
TPH6R30ANL,L1Q Nabídka
TPH6R30ANL,L1Q Nejnižší cena
TPH6R30ANL,L1Q Vyhledávání
TPH6R30ANL,L1Q Nákup
TPH6R30ANL,L1Q Chip