Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
2N7002E-T1-GE3

2N7002E-T1-GE3

MOSFET N-CH 60V 240MA SOT23
Číslo dílu
2N7002E-T1-GE3
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Dodavatelský balíček zařízení
-
Ztráta energie (max.)
350mW (Ta)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
60V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
240mA (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
3 Ohm @ 250mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
0.6nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
21pF @ 5V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 9038 PCS
Kontaktní informace
Klíčová slova 2N7002E-T1-GE3
2N7002E-T1-GE3 Elektronické komponenty
2N7002E-T1-GE3 Odbyt
2N7002E-T1-GE3 Dodavatel
2N7002E-T1-GE3 Distributor
2N7002E-T1-GE3 Datová tabulka
2N7002E-T1-GE3 Fotky
2N7002E-T1-GE3 Cena
2N7002E-T1-GE3 Nabídka
2N7002E-T1-GE3 Nejnižší cena
2N7002E-T1-GE3 Vyhledávání
2N7002E-T1-GE3 Nákup
2N7002E-T1-GE3 Chip