Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRFBC20PBF
MOSFET N-CH 600V 2.2A TO-220AB
Číslo dílu
IRFBC20PBF
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-220-3
Dodavatelský balíček zařízení
TO-220AB
Ztráta energie (max.)
50W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
600V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
2.2A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
4.4 Ohm @ 1.3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
18nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
350pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 27819 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRFBC20PBF
IRFBC20PBF Elektronické komponenty
IRFBC20PBF Odbyt
IRFBC20PBF Dodavatel
IRFBC20PBF Distributor
IRFBC20PBF Datová tabulka
IRFBC20PBF Fotky
IRFBC20PBF Cena
IRFBC20PBF Nabídka
IRFBC20PBF Nejnižší cena
IRFBC20PBF Vyhledávání
IRFBC20PBF Nákup
IRFBC20PBF Chip