IRFBC20STRLPBF
MOSFET N-CH 600V 2.2A D2PAK
Číslo dílu
IRFBC20STRLPBF
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Dodavatelský balíček zařízení
D2PAK
Ztráta energie (max.)
3.1W (Ta), 50W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
600V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
2.2A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
4.4 Ohm @ 1.3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
18nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
350pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 7929 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRFBC20STRLPBF
IRFBC20STRLPBF Elektronické komponenty
IRFBC20STRLPBF Odbyt
IRFBC20STRLPBF Dodavatel
IRFBC20STRLPBF Distributor
IRFBC20STRLPBF Datová tabulka
IRFBC20STRLPBF Fotky
IRFBC20STRLPBF Cena
IRFBC20STRLPBF Nabídka
IRFBC20STRLPBF Nejnižší cena
IRFBC20STRLPBF Vyhledávání
IRFBC20STRLPBF Nákup
IRFBC20STRLPBF Chip