Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRFBC20STRR
MOSFET N-CH 600V 2.2A D2PAK
Číslo dílu
IRFBC20STRR
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Dodavatelský balíček zařízení
D2PAK
Ztráta energie (max.)
3.1W (Ta), 50W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
600V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
2.2A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
4.4 Ohm @ 1.3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
18nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
350pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 24593 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRFBC20STRR
IRFBC20STRR Elektronické komponenty
IRFBC20STRR Odbyt
IRFBC20STRR Dodavatel
IRFBC20STRR Distributor
IRFBC20STRR Datová tabulka
IRFBC20STRR Fotky
IRFBC20STRR Cena
IRFBC20STRR Nabídka
IRFBC20STRR Nejnižší cena
IRFBC20STRR Vyhledávání
IRFBC20STRR Nákup
IRFBC20STRR Chip