Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRFBE20PBF
MOSFET N-CH 800V 1.8A TO-220AB
Číslo dílu
IRFBE20PBF
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-220-3
Dodavatelský balíček zařízení
TO-220AB
Ztráta energie (max.)
54W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
800V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
1.8A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
6.5 Ohm @ 1.1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
38nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
530pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 21612 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRFBE20PBF
IRFBE20PBF Elektronické komponenty
IRFBE20PBF Odbyt
IRFBE20PBF Dodavatel
IRFBE20PBF Distributor
IRFBE20PBF Datová tabulka
IRFBE20PBF Fotky
IRFBE20PBF Cena
IRFBE20PBF Nabídka
IRFBE20PBF Nejnižší cena
IRFBE20PBF Vyhledávání
IRFBE20PBF Nákup
IRFBE20PBF Chip