Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRFBE20S
MOSFET N-CH 800V 1.8A D2PAK
Číslo dílu
IRFBE20S
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Dodavatelský balíček zařízení
D2PAK
Ztráta energie (max.)
-
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
800V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
1.8A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
6.5 Ohm @ 1.1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
38nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
530pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 51698 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRFBE20S
IRFBE20S Elektronické komponenty
IRFBE20S Odbyt
IRFBE20S Dodavatel
IRFBE20S Distributor
IRFBE20S Datová tabulka
IRFBE20S Fotky
IRFBE20S Cena
IRFBE20S Nabídka
IRFBE20S Nejnižší cena
IRFBE20S Vyhledávání
IRFBE20S Nákup
IRFBE20S Chip