Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRFBE20STRL
MOSFET N-CH 800V 1.8A D2PAK
Číslo dílu
IRFBE20STRL
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Dodavatelský balíček zařízení
D2PAK
Ztráta energie (max.)
-
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
800V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
1.8A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
6.5 Ohm @ 1.1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
38nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
530pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 29651 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRFBE20STRL
IRFBE20STRL Elektronické komponenty
IRFBE20STRL Odbyt
IRFBE20STRL Dodavatel
IRFBE20STRL Distributor
IRFBE20STRL Datová tabulka
IRFBE20STRL Fotky
IRFBE20STRL Cena
IRFBE20STRL Nabídka
IRFBE20STRL Nejnižší cena
IRFBE20STRL Vyhledávání
IRFBE20STRL Nákup
IRFBE20STRL Chip