Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRFBE20STRR
MOSFET N-CH 800V 1.8A D2PAK
Číslo dílu
IRFBE20STRR
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Dodavatelský balíček zařízení
D2PAK
Ztráta energie (max.)
-
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
800V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
1.8A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
6.5 Ohm @ 1.1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
38nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
530pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 16266 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRFBE20STRR
IRFBE20STRR Elektronické komponenty
IRFBE20STRR Odbyt
IRFBE20STRR Dodavatel
IRFBE20STRR Distributor
IRFBE20STRR Datová tabulka
IRFBE20STRR Fotky
IRFBE20STRR Cena
IRFBE20STRR Nabídka
IRFBE20STRR Nejnižší cena
IRFBE20STRR Vyhledávání
IRFBE20STRR Nákup
IRFBE20STRR Chip