Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRFBE30
MOSFET N-CH 800V 4.1A TO-220AB
Číslo dílu
IRFBE30
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-220-3
Dodavatelský balíček zařízení
TO-220AB
Ztráta energie (max.)
125W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
800V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
4.1A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
3 Ohm @ 2.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
78nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1300pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 43084 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRFBE30
IRFBE30 Elektronické komponenty
IRFBE30 Odbyt
IRFBE30 Dodavatel
IRFBE30 Distributor
IRFBE30 Datová tabulka
IRFBE30 Fotky
IRFBE30 Cena
IRFBE30 Nabídka
IRFBE30 Nejnižší cena
IRFBE30 Vyhledávání
IRFBE30 Nákup
IRFBE30 Chip