Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRFBE30LPBF
MOSFET N-CH 800V 4.1A TO-262
Číslo dílu
IRFBE30LPBF
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Dodavatelský balíček zařízení
I2PAK
Ztráta energie (max.)
125W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
800V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
4.1A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
3 Ohm @ 2.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
78nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1300pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 48235 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRFBE30LPBF
IRFBE30LPBF Elektronické komponenty
IRFBE30LPBF Odbyt
IRFBE30LPBF Dodavatel
IRFBE30LPBF Distributor
IRFBE30LPBF Datová tabulka
IRFBE30LPBF Fotky
IRFBE30LPBF Cena
IRFBE30LPBF Nabídka
IRFBE30LPBF Nejnižší cena
IRFBE30LPBF Vyhledávání
IRFBE30LPBF Nákup
IRFBE30LPBF Chip