Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRFBE30S
MOSFET N-CH 800V 4.1A D2PAK
Číslo dílu
IRFBE30S
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Dodavatelský balíček zařízení
D2PAK
Ztráta energie (max.)
125W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
800V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
4.1A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
3 Ohm @ 2.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
78nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1300pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 19946 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRFBE30S
IRFBE30S Elektronické komponenty
IRFBE30S Odbyt
IRFBE30S Dodavatel
IRFBE30S Distributor
IRFBE30S Datová tabulka
IRFBE30S Fotky
IRFBE30S Cena
IRFBE30S Nabídka
IRFBE30S Nejnižší cena
IRFBE30S Vyhledávání
IRFBE30S Nákup
IRFBE30S Chip