Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRFBE30STRLPBF
MOSFET N-CH 800V 4.1A D2PAK
Číslo dílu
IRFBE30STRLPBF
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Dodavatelský balíček zařízení
D2PAK
Ztráta energie (max.)
125W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
800V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
4.1A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
3 Ohm @ 2.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
78nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1300pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 25830 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRFBE30STRLPBF
IRFBE30STRLPBF Elektronické komponenty
IRFBE30STRLPBF Odbyt
IRFBE30STRLPBF Dodavatel
IRFBE30STRLPBF Distributor
IRFBE30STRLPBF Datová tabulka
IRFBE30STRLPBF Fotky
IRFBE30STRLPBF Cena
IRFBE30STRLPBF Nabídka
IRFBE30STRLPBF Nejnižší cena
IRFBE30STRLPBF Vyhledávání
IRFBE30STRLPBF Nákup
IRFBE30STRLPBF Chip