Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRFBF20LPBF
MOSFET N-CH 900V 1.7A TO-262
Číslo dílu
IRFBF20LPBF
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Dodavatelský balíček zařízení
I2PAK
Ztráta energie (max.)
3.1W (Ta), 54W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
900V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
1.7A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
8 Ohm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
38nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
490pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 32839 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRFBF20LPBF
IRFBF20LPBF Elektronické komponenty
IRFBF20LPBF Odbyt
IRFBF20LPBF Dodavatel
IRFBF20LPBF Distributor
IRFBF20LPBF Datová tabulka
IRFBF20LPBF Fotky
IRFBF20LPBF Cena
IRFBF20LPBF Nabídka
IRFBF20LPBF Nejnižší cena
IRFBF20LPBF Vyhledávání
IRFBF20LPBF Nákup
IRFBF20LPBF Chip