Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRFBF20PBF
MOSFET N-CH 900V 1.7A TO-220AB
Číslo dílu
IRFBF20PBF
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-220-3
Dodavatelský balíček zařízení
TO-220AB
Ztráta energie (max.)
54W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
900V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
1.7A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
8 Ohm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
38nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
490pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 34411 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRFBF20PBF
IRFBF20PBF Elektronické komponenty
IRFBF20PBF Odbyt
IRFBF20PBF Dodavatel
IRFBF20PBF Distributor
IRFBF20PBF Datová tabulka
IRFBF20PBF Fotky
IRFBF20PBF Cena
IRFBF20PBF Nabídka
IRFBF20PBF Nejnižší cena
IRFBF20PBF Vyhledávání
IRFBF20PBF Nákup
IRFBF20PBF Chip