Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRFBF20S

IRFBF20S

MOSFET N-CH 900V 1.7A D2PAK
Číslo dílu
IRFBF20S
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Dodavatelský balíček zařízení
D2PAK
Ztráta energie (max.)
3.1W (Ta), 54W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
900V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
1.7A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
8 Ohm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
38nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
490pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 17416 PCS
Kontaktní informace
Klíčová slova IRFBF20S
IRFBF20S Elektronické komponenty
IRFBF20S Odbyt
IRFBF20S Dodavatel
IRFBF20S Distributor
IRFBF20S Datová tabulka
IRFBF20S Fotky
IRFBF20S Cena
IRFBF20S Nabídka
IRFBF20S Nejnižší cena
IRFBF20S Vyhledávání
IRFBF20S Nákup
IRFBF20S Chip