Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRFBF20STRR
MOSFET N-CH 900V 1.7A D2PAK
Číslo dílu
IRFBF20STRR
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Dodavatelský balíček zařízení
D2PAK
Ztráta energie (max.)
3.1W (Ta), 54W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
900V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
1.7A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
8 Ohm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
38nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
490pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 34713 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRFBF20STRR
IRFBF20STRR Elektronické komponenty
IRFBF20STRR Odbyt
IRFBF20STRR Dodavatel
IRFBF20STRR Distributor
IRFBF20STRR Datová tabulka
IRFBF20STRR Fotky
IRFBF20STRR Cena
IRFBF20STRR Nabídka
IRFBF20STRR Nejnižší cena
IRFBF20STRR Vyhledávání
IRFBF20STRR Nákup
IRFBF20STRR Chip