Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRFBG20PBF
MOSFET N-CH 1000V 1.4A TO-220AB
Číslo dílu
IRFBG20PBF
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-220-3
Dodavatelský balíček zařízení
TO-220AB
Ztráta energie (max.)
54W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
1000V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
1.4A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
11 Ohm @ 840mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
38nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
500pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 46060 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRFBG20PBF
IRFBG20PBF Elektronické komponenty
IRFBG20PBF Odbyt
IRFBG20PBF Dodavatel
IRFBG20PBF Distributor
IRFBG20PBF Datová tabulka
IRFBG20PBF Fotky
IRFBG20PBF Cena
IRFBG20PBF Nabídka
IRFBG20PBF Nejnižší cena
IRFBG20PBF Vyhledávání
IRFBG20PBF Nákup
IRFBG20PBF Chip