Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRFBG30
MOSFET N-CH 1000V 3.1A TO-220AB
Číslo dílu
IRFBG30
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-220-3
Dodavatelský balíček zařízení
TO-220AB
Ztráta energie (max.)
125W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
1000V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
3.1A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
5 Ohm @ 1.9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
80nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
980pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 47234 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRFBG30
IRFBG30 Elektronické komponenty
IRFBG30 Odbyt
IRFBG30 Dodavatel
IRFBG30 Distributor
IRFBG30 Datová tabulka
IRFBG30 Fotky
IRFBG30 Cena
IRFBG30 Nabídka
IRFBG30 Nejnižší cena
IRFBG30 Vyhledávání
IRFBG30 Nákup
IRFBG30 Chip