Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRFBG30PBF
MOSFET N-CH 1000V 3.1A TO-220AB
Číslo dílu
IRFBG30PBF
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-220-3
Dodavatelský balíček zařízení
TO-220AB
Ztráta energie (max.)
125W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
1000V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
3.1A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
5 Ohm @ 1.9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
80nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
980pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 10124 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRFBG30PBF
IRFBG30PBF Elektronické komponenty
IRFBG30PBF Odbyt
IRFBG30PBF Dodavatel
IRFBG30PBF Distributor
IRFBG30PBF Datová tabulka
IRFBG30PBF Fotky
IRFBG30PBF Cena
IRFBG30PBF Nabídka
IRFBG30PBF Nejnižší cena
IRFBG30PBF Vyhledávání
IRFBG30PBF Nákup
IRFBG30PBF Chip