Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRFIB6N60APBF
MOSFET N-CH 600V 5.5A TO220FP
Číslo dílu
IRFIB6N60APBF
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Dodavatelský balíček zařízení
TO-220-3
Ztráta energie (max.)
60W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
600V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
5.5A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
750 mOhm @ 3.3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
49nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1400pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 22348 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRFIB6N60APBF
IRFIB6N60APBF Elektronické komponenty
IRFIB6N60APBF Odbyt
IRFIB6N60APBF Dodavatel
IRFIB6N60APBF Distributor
IRFIB6N60APBF Datová tabulka
IRFIB6N60APBF Fotky
IRFIB6N60APBF Cena
IRFIB6N60APBF Nabídka
IRFIB6N60APBF Nejnižší cena
IRFIB6N60APBF Vyhledávání
IRFIB6N60APBF Nákup
IRFIB6N60APBF Chip