Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRFIB8N50K
MOSFET N-CH 500V 6.7A TO220FP
Číslo dílu
IRFIB8N50K
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Dodavatelský balíček zařízení
TO-220-3
Ztráta energie (max.)
45W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
500V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
6.7A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
350 mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
89nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
2160pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 38501 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRFIB8N50K
IRFIB8N50K Elektronické komponenty
IRFIB8N50K Odbyt
IRFIB8N50K Dodavatel
IRFIB8N50K Distributor
IRFIB8N50K Datová tabulka
IRFIB8N50K Fotky
IRFIB8N50K Cena
IRFIB8N50K Nabídka
IRFIB8N50K Nejnižší cena
IRFIB8N50K Vyhledávání
IRFIB8N50K Nákup
IRFIB8N50K Chip