Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRFIBE20G
MOSFET N-CH 800V 1.4A TO220FP
Číslo dílu
IRFIBE20G
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Dodavatelský balíček zařízení
TO-220-3
Ztráta energie (max.)
30W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
800V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
1.4A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
6.5 Ohm @ 840mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
38nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
530pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 35291 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRFIBE20G
IRFIBE20G Elektronické komponenty
IRFIBE20G Odbyt
IRFIBE20G Dodavatel
IRFIBE20G Distributor
IRFIBE20G Datová tabulka
IRFIBE20G Fotky
IRFIBE20G Cena
IRFIBE20G Nabídka
IRFIBE20G Nejnižší cena
IRFIBE20G Vyhledávání
IRFIBE20G Nákup
IRFIBE20G Chip