Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRFIBE30G
MOSFET N-CH 800V 2.1A TO220FP
Číslo dílu
IRFIBE30G
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Dodavatelský balíček zařízení
TO-220-3
Ztráta energie (max.)
35W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
800V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
2.1A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
3 Ohm @ 1.3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
78nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1300pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 51610 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRFIBE30G
IRFIBE30G Elektronické komponenty
IRFIBE30G Odbyt
IRFIBE30G Dodavatel
IRFIBE30G Distributor
IRFIBE30G Datová tabulka
IRFIBE30G Fotky
IRFIBE30G Cena
IRFIBE30G Nabídka
IRFIBE30G Nejnižší cena
IRFIBE30G Vyhledávání
IRFIBE30G Nákup
IRFIBE30G Chip