Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRFIBE30GPBF
MOSFET N-CH 800V 2.1A TO220FP
Číslo dílu
IRFIBE30GPBF
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Dodavatelský balíček zařízení
TO-220-3
Ztráta energie (max.)
35W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
800V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
2.1A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
3 Ohm @ 1.3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
78nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1300pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 54207 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRFIBE30GPBF
IRFIBE30GPBF Elektronické komponenty
IRFIBE30GPBF Odbyt
IRFIBE30GPBF Dodavatel
IRFIBE30GPBF Distributor
IRFIBE30GPBF Datová tabulka
IRFIBE30GPBF Fotky
IRFIBE30GPBF Cena
IRFIBE30GPBF Nabídka
IRFIBE30GPBF Nejnižší cena
IRFIBE30GPBF Vyhledávání
IRFIBE30GPBF Nákup
IRFIBE30GPBF Chip