Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRFIBF20G
MOSFET N-CH 900V 1.2A TO220FP
Číslo dílu
IRFIBF20G
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Dodavatelský balíček zařízení
TO-220-3
Ztráta energie (max.)
30W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
900V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
1.2A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
8 Ohm @ 720mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
38nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
490pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 16305 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRFIBF20G
IRFIBF20G Elektronické komponenty
IRFIBF20G Odbyt
IRFIBF20G Dodavatel
IRFIBF20G Distributor
IRFIBF20G Datová tabulka
IRFIBF20G Fotky
IRFIBF20G Cena
IRFIBF20G Nabídka
IRFIBF20G Nejnižší cena
IRFIBF20G Vyhledávání
IRFIBF20G Nákup
IRFIBF20G Chip