Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRFIBF30G
MOSFET N-CH 900V 1.9A TO220FP
Číslo dílu
IRFIBF30G
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Dodavatelský balíček zařízení
TO-220-3
Ztráta energie (max.)
35W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
900V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
1.9A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
3.7 Ohm @ 1.1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
78nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1200pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 14569 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRFIBF30G
IRFIBF30G Elektronické komponenty
IRFIBF30G Odbyt
IRFIBF30G Dodavatel
IRFIBF30G Distributor
IRFIBF30G Datová tabulka
IRFIBF30G Fotky
IRFIBF30G Cena
IRFIBF30G Nabídka
IRFIBF30G Nejnižší cena
IRFIBF30G Vyhledávání
IRFIBF30G Nákup
IRFIBF30G Chip