Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRFPG50PBF
MOSFET N-CH 1000V 6.1A TO-247AC
Číslo dílu
IRFPG50PBF
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-247-3
Dodavatelský balíček zařízení
TO-247-3
Ztráta energie (max.)
190W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
1000V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
6.1A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
2 Ohm @ 3.6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
190nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
2800pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 22436 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRFPG50PBF
IRFPG50PBF Elektronické komponenty
IRFPG50PBF Odbyt
IRFPG50PBF Dodavatel
IRFPG50PBF Distributor
IRFPG50PBF Datová tabulka
IRFPG50PBF Fotky
IRFPG50PBF Cena
IRFPG50PBF Nabídka
IRFPG50PBF Nejnižší cena
IRFPG50PBF Vyhledávání
IRFPG50PBF Nákup
IRFPG50PBF Chip