Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRFU210PBF
MOSFET N-CH 200V 2.6A I-PAK
Číslo dílu
IRFU210PBF
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Dodavatelský balíček zařízení
TO-251AA
Ztráta energie (max.)
2.5W (Ta), 25W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
200V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
2.6A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
1.5 Ohm @ 1.6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
8.2nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
140pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 44084 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRFU210PBF
IRFU210PBF Elektronické komponenty
IRFU210PBF Odbyt
IRFU210PBF Dodavatel
IRFU210PBF Distributor
IRFU210PBF Datová tabulka
IRFU210PBF Fotky
IRFU210PBF Cena
IRFU210PBF Nabídka
IRFU210PBF Nejnižší cena
IRFU210PBF Vyhledávání
IRFU210PBF Nákup
IRFU210PBF Chip