SI1062X-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V SC-89
Číslo dílu
SI1062X-T1-GE3
Výrobce/značka
Série
TrenchFET®
Stav sekce
Active
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
SC-89, SOT-490
Dodavatelský balíček zařízení
SC-89-3
Ztráta energie (max.)
220mW (Ta)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
20V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
-
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
420 mOhm @ 500mA, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
2.7nC @ 8V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
43pF @ 10V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
1.5V, 4.5V
VGS (max.)
±8V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 40002 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova SI1062X-T1-GE3
SI1062X-T1-GE3 Elektronické komponenty
SI1062X-T1-GE3 Odbyt
SI1062X-T1-GE3 Dodavatel
SI1062X-T1-GE3 Distributor
SI1062X-T1-GE3 Datová tabulka
SI1062X-T1-GE3 Fotky
SI1062X-T1-GE3 Cena
SI1062X-T1-GE3 Nabídka
SI1062X-T1-GE3 Nejnižší cena
SI1062X-T1-GE3 Vyhledávání
SI1062X-T1-GE3 Nákup
SI1062X-T1-GE3 Chip