Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
SI1307EDL-T1-GE3

SI1307EDL-T1-GE3

MOSFET P-CH 12V 0.85A SC-70-3
Číslo dílu
SI1307EDL-T1-GE3
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Obsolete
Obal
Digi-Reel®
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
SC-70, SOT-323
Dodavatelský balíček zařízení
SC-70-3
Ztráta energie (max.)
290mW (Ta)
Typ FET
P-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
12V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
850mA (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
290 mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
450mV @ 250µA (Min)
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
5nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
-
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
1.8V, 4.5V
VGS (max.)
±8V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 37993 PCS
Kontaktní informace
Klíčová slova SI1307EDL-T1-GE3
SI1307EDL-T1-GE3 Elektronické komponenty
SI1307EDL-T1-GE3 Odbyt
SI1307EDL-T1-GE3 Dodavatel
SI1307EDL-T1-GE3 Distributor
SI1307EDL-T1-GE3 Datová tabulka
SI1307EDL-T1-GE3 Fotky
SI1307EDL-T1-GE3 Cena
SI1307EDL-T1-GE3 Nabídka
SI1307EDL-T1-GE3 Nejnižší cena
SI1307EDL-T1-GE3 Vyhledávání
SI1307EDL-T1-GE3 Nákup
SI1307EDL-T1-GE3 Chip