Koupit Vishay Siliconix SI1317DL-T1-GE3 MOSFET P-CH 20V 1.4A SC70

Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.

DataSheets

SI1317DL-T1-GE3

MOSFET P-CH 20V 1.4A SC70

Číslo dílu

SI1317DL-T1-GE3

Výrobce/značka

Vishay Siliconix

Série

TrenchFET®

Stav sekce

Active

Obal

Cut Tape (CT)

Technika

MOSFET (Metal Oxide)

Provozní teplota

-50°C ~ 150°C (TJ)

Typ montáže

Surface Mount

Balíček/pouzdro

SC-70, SOT-323

Dodavatelský balíček zařízení

SOT-323

Ztráta energie (max.)

500mW (Tc)

Typ FET

P-Channel

Funkce FET

Odvod ke zdroji napětí (Vdss)

20V

Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C

1.4A (Tc)

Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs

150 mOhm @ 1.4A, 4.5V

Vgs(th) (Max) @ Id

800mV @ 250µA

Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs

6.5nC @ 4.5V

Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds

272pF @ 10V

Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)

1.8V, 4.5V

VGS (max.)

±8V

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.

Na skladě 18480 PCS

Kontaktní informace

Související produkty

SI1300BDL-T1-E3