SI1411DH-T1-GE3
MOSFET P-CH 150V 420MA SC70
Číslo dílu
SI1411DH-T1-GE3
Výrobce/značka
Série
TrenchFET®
Stav sekce
Active
Obal
Digi-Reel®
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Dodavatelský balíček zařízení
-
Ztráta energie (max.)
1W (Ta)
Typ FET
P-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
150V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
420mA (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
2.6 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 100µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
6.3nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
-
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 27806 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova SI1411DH-T1-GE3
SI1411DH-T1-GE3 Elektronické komponenty
SI1411DH-T1-GE3 Odbyt
SI1411DH-T1-GE3 Dodavatel
SI1411DH-T1-GE3 Distributor
SI1411DH-T1-GE3 Datová tabulka
SI1411DH-T1-GE3 Fotky
SI1411DH-T1-GE3 Cena
SI1411DH-T1-GE3 Nabídka
SI1411DH-T1-GE3 Nejnižší cena
SI1411DH-T1-GE3 Vyhledávání
SI1411DH-T1-GE3 Nákup
SI1411DH-T1-GE3 Chip