Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
SI1414DH-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 4A SOT-363
Číslo dílu
SI1414DH-T1-GE3
Výrobce/značka
Série
TrenchFET®
Stav sekce
Active
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Dodavatelský balíček zařízení
SOT-363
Ztráta energie (max.)
1.56W (Ta), 2.8W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
30V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
4A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
46 mOhm @ 4A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
15nC @ 8V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
560pF @ 15V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
1.8V, 4.5V
VGS (max.)
±8V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 39250 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova SI1414DH-T1-GE3
SI1414DH-T1-GE3 Elektronické komponenty
SI1414DH-T1-GE3 Odbyt
SI1414DH-T1-GE3 Dodavatel
SI1414DH-T1-GE3 Distributor
SI1414DH-T1-GE3 Datová tabulka
SI1414DH-T1-GE3 Fotky
SI1414DH-T1-GE3 Cena
SI1414DH-T1-GE3 Nabídka
SI1414DH-T1-GE3 Nejnižší cena
SI1414DH-T1-GE3 Vyhledávání
SI1414DH-T1-GE3 Nákup
SI1414DH-T1-GE3 Chip