SI3417DV-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 8A TSOP-6
Číslo dílu
SI3417DV-T1-GE3
Výrobce/značka
Série
TrenchFET®
Stav sekce
Active
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Dodavatelský balíček zařízení
6-TSOP
Ztráta energie (max.)
2W (Ta), 4.2W (Tc)
Typ FET
P-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
30V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
8A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
25.2 mOhm @ 7.3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
50nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1350pF @ 15V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 40645 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova SI3417DV-T1-GE3
SI3417DV-T1-GE3 Elektronické komponenty
SI3417DV-T1-GE3 Odbyt
SI3417DV-T1-GE3 Dodavatel
SI3417DV-T1-GE3 Distributor
SI3417DV-T1-GE3 Datová tabulka
SI3417DV-T1-GE3 Fotky
SI3417DV-T1-GE3 Cena
SI3417DV-T1-GE3 Nabídka
SI3417DV-T1-GE3 Nejnižší cena
SI3417DV-T1-GE3 Vyhledávání
SI3417DV-T1-GE3 Nákup
SI3417DV-T1-GE3 Chip